吸污原因、检测及对策 让抛光砖闪亮亮

　　三、提高抛光砖耐污性能的方法

　　1、提高其烧结程度

　　要提高抛光砖的耐污性能，必须提高其烧结程度，可以采取合理的烧成制度。适当延长氧化分解阶段的时间，使坯体中的有机物得到充分的氧化分解，以便顺利排出反应所产生的气体。提高烧成温度，延长烧成周期，使坯体充分进行晶型转变，促进玻璃相及莫来石的生成，使产品烧结良好。这种方法可以提高抛光砖的烧结程度，但是成本较高。与此同时，采用合理的冷却制度，减慢在573℃左右的降温速度，以避免石英颗粒在573℃晶型转变时，石英与玻璃相膨胀系数差异过大产生较大应力，而产生微裂纹。

　　其次，在不影响生产的情况下，可以增加钾长石、钠长石及石英的含量，适量减少粘土类的原料，调整配方中的铝硅比，以利于高温时玻璃相生成，从而提高瓷砖的瓷化程度，降低气孔率，提高产品的耐污性。

　　2、降低残留气泡的含量

　　一方面，在坯体配方中尽量用烧失量小的原料。可以使用部分熟料和烧失量少的快烧料如：烧高岭土、烧滑石、烧锂辉石、烧石英、透辉石、硅灰石、叶腊石、透闪石、锂辉石、硅线石等原料，以加快反应和减少挥发组份排出，减少气相残留。另一方面，就是要保证成形粉料的颗粒级配，调整好压机的冲压次数和压力大小，使坯中的气体在成形过程中尽量逸出，降低坯体中的空隙率，以使坯体均匀致密，提高坯体的致密化、降低气孔率。

　　3、降低残留石英的含量

　　通常石英会在1200℃-1300℃转化为方石英，可以适当延长陶瓷抛光砖在1200℃以上的烧成时间，使已有石英转化成方石英，从而降低残余石英的含量，但是这种方法会提高成本，降低窑炉寿命。可以尝试减少石英原料的使用量，来降低抛光砖中残留石英的含量。瓷坯中SiO2晶相的急剧减少，能显著提高耐污性能，但也会使耐磨度、强度等性能降低，使瓷坯的变形增大。也可以通过延长石英的球磨时间，来降低石英粒径;通过调整球石的大中小比例，以提高球磨效率，减少浆料中粗颗粒石英的含量，从而使石英在烧成过程中充分反应，降低残留石英含量。

　　4、改善抛光过程

　　对抛光过程进行力学分析，优化抛光工艺，以消除对耐污性能影响较大的晶粒剥落缺陷的产生。完善抛光生产工艺时，适当地调整磨头与抛光砖之间的相互力(精抛磨头主轴的横向和纵向作用力、磨头随主轴的振动情况)、磨削速度、磨削时间、磨削量等因素，使得砖体内微裂纹扩展的现象得到控制。

　　5、使用抛光砖防污剂

　　为了提高抛光砖的耐污性能，许多陶瓷生产厂家在抛光砖出厂前都使用防污剂对抛光砖表面进行处理。目前，市场上常用的抛光砖用防污剂主要有几大类：

　　第一类，以蜡为主体的防污剂，由于蜡只能在表面涂覆，且与基材的附着力不好，因此很快就失去了防污效果。

　　第二类，以含氢硅油为主体的乳液型或溶剂型的防污剂，其原理是含氢硅油与基材在催化剂作用下反应，生成一层防水防污膜。乳液型的防污剂的固化速度慢，容易发生霉斑而影响砖的外观;溶剂型的防污剂则因其产品加入催化剂使产品放出氢气，导致在储运、使用时具有危险性。

　　第三类，抛光砖表面镀膜，如常用的超洁亮技术。其缺点是：一般抛光砖的干摩擦系数都在0.5以上，而表面镀膜后其干摩擦系数会在一定程度上有所下降。使用过程中抛光砖的保护膜会发生磨损，慢慢失去防污效果。

　　第四类，以有机硅树脂为活性组份的溶剂型防污剂，其原理是通过分子设计，合成出具有合适分子大小的有机硅树脂，在催化剂作用下交联，生成网状的有一定硬度、耐磨性好的硅树脂交联体，这种防污剂具有渗透性好、快干、防污效果持久等特点。虽然有机硅树脂类的防污剂在防墨水方面有较好的性能，但是在防油性污渍方面性能欠佳。

　　第五类，组合型纳米防污剂，由A液、B液两者组成，组合使用。其中A液富含高活性水性纳米粒子，在水分蒸发后可以凝结成具有一定强度的块状固体;B液为浸润、铺展性极佳的无色透明油性或水性液体，其有效成份在室温下可以缓慢固化成透明憎水膜。这种纳米防污剂具有反应活性高、渗透力强、对砖体黏附性好以及填充性好的特点。

　　要解决陶瓷抛光砖表面吸污的问题，就需要提高陶瓷抛光砖的耐污性能。可以从提高瓷质抛光砖烧结程度、降低残留气泡含量、降低残留石英的含量、改善抛光过程、使用防污剂等方面入手来提高抛光砖的耐污性能。